Информационный портал профессоров РАН

Мы в

Наверх

Векслер Михаил Исаакович

Место работы: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН

Должность: Ведущий научный сотрудник

Место жительства: Санкт-Петербург

Научные достижения: Более двадцати лет занимался изучением электрофизических явлений в структурах металл–туннельно-тонкий диэлектрик – кремний. Выполнил исследование люминесценции таких структур и их моделирование, выполнил их моделирование. 138 публикаций. Результаты востребованы в физике и технике современных полевых транзисторов.

Эксперт РАН

Премии и награды:

1. Почетная грамота РАН, 2014.

2. Звание «Ветеран труда», 2015.

3. Благодарность президента РАН, 2016.